Anderson's impurity-model analysis on CeO1-xFxBiS2

Takuya Sugimoto, Boby Joseph, Eugenio Paris, Antonella Iadecola, Satoshi Demura, Yoshikazu Mizuguchi, Yoshihiko Takano, Takashi Mizokawa, Naurang L. Saini

研究成果: ジャーナルへの寄稿会議記事査読

3 被引用数 (Scopus)

抄録

We have investigated the impact of F-doing on CeO1-xFxBiS2 in terms of the electronic-structural parameters of Anderson's impurity-model analysis. It was recently reported using Ce L3-edge x-ray absorption spectroscopy (XAS) that CeOBiS2 falls in the Ce valence fluctuation regime and the F-doping drives the system into the Kondo regime. The Ce L3- edge XAS spectra with the various F-doping levels can be reproduced by adjusting the transfer integral in the Anderson's impurity model. The present analysis indicates that the F-doping to the system corresponds to the decrease of the Ce-Bi transfer integral.

本文言語英語
論文番号012073
ジャーナルJournal of Physics: Conference Series
592
1
DOI
出版ステータス出版済み - 2014
外部発表はい
イベント2014 International Conference on Strongly Correlated Electron Systems, SCES 2014 - Grenoble, フランス
継続期間: 7 7月 201414 7月 2014

フィンガープリント

「Anderson's impurity-model analysis on CeO1-xFxBiS2」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル