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Scopus著者プロファイル
石川 瑞恵
専任講師
工学部
ウェブサイト
http://www.ee.ce.nihon-u.ac.jp/~mishikawa/index.html
h-index
787
被引用数
18
h 指数
Pureの文献数とScopusの被引用数に基づいて算出されます
2005
2020
年別の研究成果
概要
フィンガープリント
ネットワーク
研究成果
(46)
類似のプロファイル
(3)
フィンガープリント
Mizue Ishikawaが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
並べ替え順
重み付け
アルファベット順
Material Science
Anisotropy
46%
Annealing
9%
Atomic Force Microscopy
9%
Crystal Orientation
14%
Density
12%
Devices
90%
Durability
36%
Electrical Property
9%
Electrode
46%
Electron Tunneling Spectroscopy
14%
Ferromagnetic Material
9%
Gallium Arsenide
19%
Heavy Metal
9%
Heusler Compound
9%
Interface Property
6%
Magnesium Oxide
100%
Magnetic Memory
19%
Magnetoresistance
27%
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
63%
Nanolithography
9%
Nanopatterning
9%
Oxide Compound
9%
Poly Methyl Methacrylate
9%
Silicon
38%
Silicon Device
16%
Spin Diffusion
15%
Spin Polarization
10%
Spin Relaxation
14%
Spinel
9%
Temperature
35%
Thin Films
9%
Torque
44%
Transistor
39%
Transition Metal Oxide
9%
Engineering
Absolute Value
7%
Alloy
7%
Amplitude
12%
Annealing
9%
Annealing Temperature
14%
Application
24%
Architecture
19%
Barrier Height
9%
Correlation
9%
Crystal Orientation
9%
Cycles
6%
Demonstrates
7%
Density Gradient
9%
Detection
24%
Diffusion Time
9%
Electron Trap
9%
Energy Barrier
9%
Energy Conservation
9%
Energy Engineering
9%
Enhancement
7%
Ferromagnet
25%
Field Programmable Gate Arrays
26%
Frequency Dependence
9%
Frequency Response
9%
Gallium Arsenide
19%
Integrated Circuit
13%
Large Spin
19%
Localized State
9%
Lower Energy
9%
Magnetic Tunnel Junction
11%
Magnetoelectronics
32%
Measurement
30%
Measurement Frequency
9%
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
60%
Nonvolatile Memory
12%
Patterning Process
19%
Performance
9%
Polycrystalline
12%
Read Disturb
9%
Room Temperature
21%
Si Device
19%
Silicon Device
9%
Spin Field
23%
Spin Transfer
19%
Surface
7%
Thickness
17%
Transistor
16%
Transport Mechanism
9%
Tunnels
33%
Voltage
19%
Physics
Accumulations
21%
Amplitude
10%
Annealing
13%
Asymmetry
9%
Correlation
9%
Detection
9%
Dichroism
9%
Electrode
12%
Electronic Structure
9%
Heusler Compound
9%
Increasing
5%
Injection
21%
Interface Property
6%
Magnetization
14%
Magnetoresistance
28%
Magnitude
10%
Memory
9%
Oxide
9%
Photoelectric Emission
9%
Room Temperature
26%
Side
9%
Silicon
29%
Spectra
6%
Spectrometer
9%
Spectroscopy
9%
Spin
58%
Spin Diffusion
5%
Spin Polarization
15%
Spin Relaxation
11%
Spin Valve
10%
Spinel
9%
Temperature
11%
Temperature Dependence
12%
Term
7%
Thin Films
9%
Tunnels
8%